IT之家 10 月 17 日音书，据韩媒 ZDNET Korea 当地时辰 15 日报谈，三星电子 HBM3E 居品迟迟未能齐备通过最大需方认证并启动供货是因为受到该内存的基础 14nm 级 DRAM 的攀扯。

报谈提到三星电子的 36GB 容量 HBM3E 12H 内存可能直到 2025 年第 2~3 季度智商启动供应。

▲ 基于三星 12nm 级 DDR5 DRAM 的行状器内存条

三星电子的 HBM3E 居品透顶依赖于其 14nm 级（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外两家主要 HBM 内存企业 SK 海力士与好意思光的居品则基于 1b DRAM，三星自然存在相对工艺残障。

此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的开头预备中并未计划到 HBM 畛域的用途，因此三星无法立即疏浚 HBM3E 内存的 DRAM Die 选用。

不仅如斯，三星电子的 1a DRAM 自己也存在工艺和预备两方面的问题：

三星电子在内存畛域导入 EUV 时刻上领受较激进计谋，以期提高竞争力的同期裁减制变资本，其 1a DRAM 领有 5 个 EUV 层，多于 SK 海力士同期居品。但由于 EUV 工艺复杂，领略性欠佳，三星 1a DRAM 居品未能如预期裁减资本。

此外三星的 1aDRAM 预备自己也存在不及，导致对应 DDR5 行状器内存条获取英特尔居品认证时机晚于竞争敌手 SK 海力士。

音书东谈主士显露，三星电子里面现在正在商讨是否其 1a DRAM 的部分电路进行再行预备，但并未就这一存在各式风险的选用进行最终决定：因为至少需要 6 个月智商完成新的预备，要到来岁第二季度智商进行批量坐蓐，难以向下流厂商实时拜托。